Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SO-8
0.172
(4.369)
0.028
(0.711)
0.022
(0.559)
0.050
(1.270)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
22
Document Number: 72606
Revision: 21-Jan-08
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SI4484EY-E3 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4484EY-T1 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4484EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4484EY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 6.9A 3.8W 34mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4485DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI4485DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube